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参数目录42331
> PSMN1R0-30YLC,115 MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK
型号:
PSMN1R0-30YLC,115
RoHS:
无铅 / 符合
制造商:
NXP Semiconductors
描述:
MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK
详细参数
数值
产品分类
分离式半导体产品 >> FET - 单
PSMN1R0-30YLC,115 PDF
标准包装
1
系列
-
FET 型
MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)
30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
100A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C
1.15 毫欧 @ 25A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大)
1.95V @ 1mA
闸电荷(Qg) @ Vgs
103.5nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds
6645pF @ 15V
功率 - 最大
272W
安装类型
表面贴装
封装/外壳
SC-100,SOT-669,4-LFPAK
供应商设备封装
LFPAK,Power-SO8
包装
剪切带 (CT)
其它名称
568-6721-1
查看PSMN1R0-30YLC,115代理商
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